Підпишіться на нас в Google
Samsung представила нове покоління вбудованої пам'яті UFS 5.0, яке стало найшвидшим у галузі. Рішення насамперед призначене для смартфонів й планшетів і обіцяє суттєво пришвидшити роботу штучного інтелекту безпосередньо на пристроях, пише SamMobile.
UFS 5.0 забезпечує швидкість читання інформації до 10,8 ГБ/с і запису до 9,5 ГБ/с. Це більш ніж удвічі перевищує показники актуального UFS 4.1 і вже порівнянне за пропускною здатністю з мобільною DRAM рівня LPDDR5X. Ще кілька років тому таке було недосяжним для NAND-накопичувачів.
Для користувачів це означає швидший запуск додатків, передачу файлів і загалом більш чутливу роботу їхніх пристроїв. Також зростання швидкості безпосередньо впливає на сценарії "ШІ на пристрої". Вища пропускна здатність дозволяє скоротити затримки та зробити взаємодію з ШІ-сервісами помітно швидшою.
Окремо в Samsung відзначають вищу енергоефективність – на 40% порівняно з UFS 4.1. Теоретично це має позитивно позначитися на часі автономної роботи. Для досягнення таких показників компанія використовувала технології clock gating і multi voltage, які оптимізують роботу чіпа та скорочують непотрібні витрати електроенергії.
Масове виробництво UFS 5.0 планується розпочати в 4-му кварталі 2026 року. Обсяги накопичувачів сягатимуть 1 ТБ. Окрім смартфонів і планшетів, технологія також розрахована на використання в ноутбуках, розумних годинниках і пристроях розширеної реальності (XR).
Першим масовим пристроєм з новою пам'яттю може стати серія Galaxy S27, вихід якої очікується на початку 2027 року.
Раніше цього місяця Samsung представила новий бюджетний телефон, який отримуватиме оновлення аж до 2032 року. Також Galaxy A27 отримав оновлений зовнішній вигляд і захист Gorilla Glass Victus+.
