Samsung спільно з IBM оголосили про розробку проривної технології вертикального розміщення транзисторів на чіпі. Кажуть, що завдяки їй смартфони зможуть працювати понад тиждень без підзарядки.
Анонс відбувся на заході IEEE International Electron Devices Meeting 2021 пише The Verge.
Якщо в поточних рішеннях транзистори лежать на підкладці, то тепер їх можна розміщувати один над одним. Технологія називається Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET). Вона дозволяє обійти чинні обмеження і в перспективі подолати рубіж в 1-нм.
Читайте такожSamsung запустила в Україні офіційний інтернет-магазинЗа оцінками виробників, чіпи з новою архітектурою будуть у 2 рази перевершувати по продуктивності або на 85% – по енергоефективності сучасні FinFET-чіпи, які використовуються, в тому числі в сучасних мікросхемах виробництва TSMC.
Коли нова технологія буде реалізований в комерційному проєкті, IBM і Samsung не уточнили.
А поки що інший техногігант Xiaomi готує свою революцію у світі акумуляторів для смартфонів. Їх інноваційна технологія дозволить збільшити час автономної роботи смартфонів більш ніж на півтори години. Перші смартфони з такими акумуляторами очікуються на полицях магазинів в кінці 2022 року.
